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深圳深爱半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN201178091Y | 刻蚀机的装片装置 | 2009.01.07 | 本实用新型公开了一种刻蚀机的装片装置，包括夹片板、夹片盖、定位结构，所述夹片板通过定位结构固定其位置 |
| 2 | CN201178093Y | 温控腐蚀槽 | 2009.01.07 | 本实用新型公开了一种温控腐蚀槽，包括耐酸的槽体，该腐蚀槽包括有换热水管、加热装置，换热水管设于槽体的 |
| 3 | CN201188417Y | 芯片承片台 | 2009.01.28 | 本实用新型公开了一种芯片承片台，该芯片承片台上设有至少一环形槽，在芯片放在芯片承片台上后，该芯片边缘 |
| 4 | CN201188170Y | 光刻版夹具 | 2009.01.28 | 本实用新型公开了一种光刻版夹具，包括一底座，所述底座上固设有一安装架，所述安装架边缘设有内径小于光刻 |
| 5 | CN201169652Y | 一种碳化硅舟专用夹具 | 2008.12.24 | 本实用新型公开了一种碳化硅舟专用夹具，包括一夹持杆，所述夹持杆侧面设有可插入碳化硅舟上凸耳的孔内的凸 |
| 6 | CN101521223A | 双极晶体管的表面钝化结构及其制造方法 | 2009.09.02 | 本发明公开了一种双极晶体管的表面钝化结构，包括SIPOS层、铝层、氮化硅层，所述铝层的部分区域通过铝 |
| 7 | CN201218900Y | 匀胶机加湿器 | 2009.04.08 | 本实用新型公开了匀胶机加湿器，包含壳体和设置于壳体底部的加热棒，在壳体上设有可调节的蒸汽出口。由于蒸 |
| 8 | CN201219103Y | 酸槽温度控制系统 | 2009.04.08 | 本实用新型一种酸槽温度控制系统，包括耐腐蚀的反应槽，在反应槽上设有换热水管，该酸槽温度控制系统还包括 |
| 9 | CN102479678A | 芯片薄膜的生成方法及生成芯片薄膜的载体 | 2012.05.30 | 本发明涉及一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片 |
| 10 | CN101719509B | 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 2011.12.28 | 本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层， |
| 11 | CN101504917B | 防止VDMOS管二次击穿的方法 | 2011.08.31 | 本发明公开了一种防止VDMOS管二次击穿的方法，包括步骤：在VDMOS管制造过程中，采用掩膜光刻胶在 |
| 12 | CN101515121B | 显影机 | 2011.08.24 | 本发明公开了一种显影机，该显影机上设有控制装置，该控制装置对流入喷嘴的气体进行延时控制；该喷嘴用于喷 |
| 13 | CN101503650B | 硅片清洗液及其清洗方法 | 2010.12.22 | 本发明公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35～45∶1， |
| 14 | CN101901829A | 静电释放保护结构及制造方法 | 2010.12.01 | 本发明涉及一种静电释放保护结构，静电释放保护结构串联在金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极之间，静电 |
| 15 | CN101901804A | VDMOS器件版图结构及其制作方法 | 2010.12.01 | 本发明涉及一种VDMOS器件版图结构以及制作方法，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+ |
| 16 | CN101503791B | 半导体芯片金硅焊料的合金工艺 | 2010.10.20 | 本发明公开了一种半导体芯片金硅焊料的合金工艺，包括以下步骤：S1、将待合金的硅片进行表面处理；S2、 |
| 17 | CN101521223B | 双极晶体管的表面钝化结构制造方法 | 2010.10.20 | 本发明公开了一种双极晶体管的表面钝化结构的制造方法，包括如下步骤：(1)在磷主扩的过程中生长二氧化硅 |
| 18 | CN101383328B | 复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺 | 2010.07.14 | 一种复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺，它属于半导体生产技术领域，所述的复合型半导体硅器件钝化膜 |
| 19 | CN101515539B | 重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法 | 2010.06.16 | 本发明公开了一种重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法，包括如下步骤：用双氧水和氨水的混合液处理重掺杂锑硅片；用 |
| 20 | CN101719509A | 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | 2010.06.02 | 本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层， |
| 21 | CN101515539A | 重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法 | 2009.08.26 | 本发明公开了一种重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法，包括如下步骤：用双氧水和氨水的混合液处理重掺杂锑硅片；用 |
| 22 | CN101515121A | 显影机 | 2009.08.26 | 本发明公开了一种显影机，该显影机上设有一可对喷嘴的气体延时的控制装置。本发明延时一段时间后停下，在喷 |
| 23 | CN101514442A | 一种磁控溅射方法 | 2009.08.26 | 本发明公开了一种磁控溅射的方法，该磁控溅射方法包括以下步骤，送片装置将待溅射的晶片送入装卸腔，由装卸 |
| 24 | CN101503791A | 半导体芯片金硅焊料的合金工艺 | 2009.08.12 | 本发明公开了一种半导体芯片金硅焊料的合金工艺，包括步骤：S1将待合金的硅片进行表面处理；S2在真空条 |
| 25 | CN101503650A | 硅片清洗液及其清洗方法 | 2009.08.12 | 本发明公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35～45∶1， |
| 26 | CN101504917A | 防止VDMOS管二次击穿的方法 | 2009.08.12 | 本发明公开了一种防止VDMOS管二次击穿的方法，包括步骤：在VDMOS管制造过程中，采用掩膜光刻胶在 |
| 27 | CN201255812Y | 用于冲水溢水的控制电路 | 2009.06.10 | 本实用新型公开了一种用于冲水溢水的控制电路，其中，该控制电路包括，一冲水电磁阀，一溢水电磁阀，与该冲 |
| 28 | CN201248146Y | 一种加热缸 | 2009.05.27 | 本实用新型公开了一种加热缸，包括内缸体、粘胶层及发热丝，该粘胶层为双面粘胶层，该双面粘胶层的内侧面粘 |
| 29 | CN201247768Y | 夹取硅片的石英舟 | 2009.05.27 | 本实用新型公开了一种夹取硅片的石英舟，包括固定条及两个以上卡片条，所述卡片条相互平行地固定在固定条上 |
| 30 | CN201247756Y | 一种靶盘 | 2009.05.27 | 本实用新型公开了一种靶盘，包含底座以及安装于底座上的固定柱，所述底座一侧设有空槽，所述空槽内设有从硅 |
| 31 | CN201229467Y | 匀胶机的排液装置 | 2009.04.29 | 本实用新型公开了一种匀胶机的排液装置，至少包括两个第一排液管，其中一个用于排放匀胶液，另一个用于排放 |
| 32 | CN201229485Y | 扩散氢气互锁装置 | 2009.04.29 | 本实用新型涉及机电控制领域，公开了一种扩散氢气互锁装置，包括：运放电路101的信号输入端与用于探测热 |
| 33 | CN201207385Y | 基片装取片台以及包含这种装取片台的基片镀膜设备 | 2009.03.11 | 本实用新型涉及一种基片装取片台以及包含有该装取片台的镀膜设备，装取片台包括包含一支撑架以及相对于支撑 |
| 34 | CN101383328A | 复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺 | 2009.03.11 | 一种复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺，它属于半导体生产技术领域，所述的复合型半导体硅器件钝化膜 |
| 35 | CN201207384Y | 防热散失挡板以及含有该挡板的扩散炉 | 2009.03.11 | 本实用新型公开了一种防热散失挡板以及含有该挡板的扩散炉，所述挡板包括：一横截面与扩散炉内腔配合之板体 |
| 36 | CN201198500Y | 扩散炉保温帽 | 2009.02.25 | 本实用新型公开了一种扩散炉保温帽，包括：一支架，所述支架上设置有一形状与扩散炉管配合、可套合于扩散炉 |
| 37 | CN201199673Y | 无级调压装置 | 2009.02.25 | 本实用新型公开了一种无级调压装置，包括电位器、可控硅和变压器，所述电位器的输出端与可控硅的控制极相连 |
| 38 | CN201183228Y | 夹取高温盖的夹钳 | 2009.01.21 | 本实用新型公开了一种夹取高温盖的夹钳，包括两个钳杆，该两个钳杆通过枢轴枢接成一体，该两个钳杆的前端和 |
| 39 | CN201162047Y | 腐蚀槽鼓泡装置及腐蚀槽 | 2008.12.10 | 本实用新型提供了一种鼓泡装置以及具有鼓泡装置的腐蚀槽。鼓泡装置为一板状物，其一侧设有至少一个进气口和 |
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